我国自主研发芯片首次应用于特高压变电站二次设备

7月13日，记者从国网经济技术研究院获悉，武汉1000千伏变电站日前完成二次设备挂网招标，这是第一次在特高压变电站应用自主可控芯片的二次设备。

变电站二次及通信设备芯片以往均依赖进口。2020年9月，国网特高压事业部组织国网经济技术研究院、中国电力科学研究院、中南电力设计院有限公司等单位成立专项工作组，以武汉1000千伏变电站为试点，对武汉站采用自主可控芯片的二次设备开展系列专题研究。

“工作组逐步确定试用原则和试用方案：对于控制保护设备，具备芯片自主可控条件的，本期均进行挂网试运行;对于其他二次、通信设备，已完成研发检测、能够满足投运时间要求的，均开展试用。现阶段，绝大多数采用自主可控芯片的二次设备均可通过专项测试为推动自主可控芯片设备在电网工程中的应用落地。”国网经研院设计中心副主任黄宝莹介绍说。

国网经研院通自中心处长刘颖介绍说，武汉特高压变电站本期新建二次及通信设备共25类，其中保护设备10类，自动化、直流电源及辅助设备12类，通信设备3类。通过充分论证，10类保护设备本期全部进行自主可控芯片试点，自动化、直流电源及辅助设备中5类进行试点，通信设备中1类进行试点，共计试点芯片设备16类，自主可控芯片试用率为64%。

专家表示，特高压变电站，作为中国基建实力的代表，芯片的自主可控具有重要意义。

一方面，武汉站自主可控芯片的应用，将带动电力设备制造业的升级;另一方面，自主可控芯片的大规模工业化应用也将促进国内芯片行业的产业升级，从应用—反馈—升级到再应用的反复迭代，将促进自主可控芯片制造、芯片应用、芯片优化等的立体升级。

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